（6762）TDK　AI半導体の「垂直給電」で400億円投資　受動部品10倍計画の利益インパクト

（6762）TDKが、AIサーバー向け薄膜インダクターを増産する。2028年3月期までの3年間で甲府工場と鶴岡東工場に計400億円を投じ、AI半導体向けの新しい給電方式と高速光通信の双方に対応する生産能力を引き上げる。

TDKはAIデータセンター関連向け受動部品の売上高を、2031年3月期までに2026年3月期比で約10倍へ拡大する計画を掲げている。2027年3月期第1四半期には受動部品事業の売上高が前年同期比28％増、営業利益は2.7倍となった。AIデータセンター需要は将来の期待材料にとどまらず、すでに受動部品事業の増収増益要因になっている。

今回の400億円投資で中心となるのが薄膜インダクターだ。AI半導体は性能向上とともに消費電力が増えており、GPUへの電力供給を効率化する技術の重要性が高まっている。その有力な方式が、GPUの裏側から電力を供給する「垂直給電」である。高速化が進む光トランシーバーでも薄膜インダクターの需要が拡大しており、TDKはAIサーバーの電源と通信の両分野で増産投資に踏み切る。

TDKが手掛けるのはGPUそのものではない。しかし、GPUの高性能化が進むほど、周辺では電力供給、高速通信、電源回路を支える受動部品の性能と搭載量が重要になる。今回の400億円投資は、AIデータセンター向け受動部品を約10倍へ伸ばす計画を生産面から支えるものであり、今後はこの成長が受動部品事業の売上高と利益率をどこまで押し上げるかがTDKの業績を左右する材料になる。

◆垂直給電がインダクター需要を変える

AIサーバーではGPUの演算能力が急速に上昇する一方、消費電力も増えている。従来は基板上にGPUと電源回路を横方向に配置し、配線を通じて電力を供給してきたが、大電流を長い経路で流せば電力損失や発熱が増える。

そこで採用が進み始めているのが垂直給電だ。GPUの裏側やパッケージ基板の内部に電源部品を配置し、半導体までの給電距離を短くする。TDKは2027年3月期第1四半期の決算説明会で、CPUやGPUの性能向上と垂直給電の採用を背景に、インダクティブデバイスが「次の技術的なトリガー」になっていると説明した。

ここで必要になるインダクターには、小型化、薄型化と同時に大電流への対応が求められる。TDKが強みを持つのが、HDDヘッド製造で培った薄膜プロセスを応用した薄膜インダクターである。会社はすでに当初計画を前倒しして生産能力を増強しており、今期業績への寄与を見込んでいる。

今回の400億円投資のうち350億円を甲府工場に振り向け、垂直給電向け薄膜インダクターの量産体制を整える。2027年3月期中に新方式対応品の量産を開始し、2028年3月期から半導体大手への出荷を予定している。

垂直給電が本格採用されれば、薄膜インダクターは単なる既存部品の置き換えではない。GPUの電力効率を高めるためにパッケージ構造そのものが変わる過程で、新たな需要が生まれる。

◆光トランシーバーでも薄膜インダクター需要が拡大

もう一つの投資先が鶴岡東工場だ。50億円を投じ、AIデータセンターの光トランシーバー向け薄膜インダクターを増産する。

AIデータセンターでは、GPUの台数が増えるだけでは演算能力は高まらない。大量のGPUを高速ネットワークで接続し、一つの巨大な計算システムとして動かす必要がある。その通信を担うのが光トランシーバーであり、AIクラスターが大型化するほど高速・大容量の光通信需要も増える。

TDKは2025年8月、光トランシーバー用薄膜インダクター「PLEC69Bシリーズ」の量産を開始した。この製品は光通信モジュール内部のバイアスティー回路で信号と電力を分離する役割を担い、従来同等品に比べ直流抵抗を約70％低減、定格電流を1.7倍に高めた。

重要なのは、今回の設備投資がまだ存在しない市場を先取りする段階ではないことだ。TDKは2026年3月期通期決算説明会で、光トランシーバー向け薄膜インダクターとチップビーズの需要について「旺盛」と説明し、2027年3月期から売上への貢献を見込んでいる。

AIデータセンターでは、GPUの搭載数が増えるほどGPU間を結ぶ通信量も増大する。演算能力を高めるには多数のGPUを高速ネットワークで接続する必要があり、その過程で光トランシーバーの搭載数も増える。TDKが量産する薄膜インダクターは、こうした高速光通信を支える部品の一つであり、AIクラスターの大型化が進むほど需要拡大につながりやすい。