現在的AI晶片對於記憶體的需求相當高，不過無論是SRAM或DRAM除了產能以外都有單位成本高昂的問題，尤其是高階AI晶片的HBM記憶體仍供不應求的情況下，現在科技產業也在尋求其它解緩HBM容量需求的做法，其中SanDisk繼與SK Hynix推出稱為HBF的新式高頻寬快閃記憶體後，註冊一項新式晶片封裝專利，希冀透過在AI晶片下方封裝NAND，與HBM記憶體各司其職增強AI晶片效能。
將NAND作為擴充AI晶片容量的手段
如前面所述，NAND相對DRAM雖然性能較慢，但有著更大容量的優勢，SanDisk的專利則透過CBA技術把NAND顆粒堆疊在AI晶片(包括AI加速器或GPU)下方，同時該晶片平台上仍有HBM記憶體，透過兩種晶片分工各司其職提升整體AI性能。
在這項計畫中，傳輸速度更快的HBM可作為存放需要力及處理的資料，而NAND則用於進行讀取及寫入操作還有處理更大的資料集，以3D封裝的DRAM能夠帶來相對採用外部晶片更快、更直接的傳輸，此外透過NAND作為運算晶片集HBM之間提供更大的緩衝，如此一來可降低成本及功耗。
從概念專利轉化為技術仍需時間證明
SanDisk的專利看似美好，不過畢竟仍處於專利階段，還未知SanDsik目前的技術進展，畢竟在高性能的AI晶片下方封裝NAND，意味著除了NAND的散熱以外，NAND也須承受上方高性能AI晶片的發熱，如何實現這樣的封裝、成本的控制等等也都是需要考量的，但SanDisk確實正在設法找尋AI世代的新方向。
