Renesas推出第3代DDR5 MRDIMM晶片組,提升至16,000MT/s效能
日本Renesas瑞薩半導體宣布推出第3代DDR5 MRDIMM晶片組解決方案,將DDR5 MRDIMM的性能一舉提升至16,000MT/s,為AI資料中心、雲端基礎設施與加速運算等高階運算帶來更高的記憶體頻寬。延續DDR5基礎架構進一步提升頻寬▲瑞薩第三代DDR5 MRDIMM晶片組在延續DDR5基礎架構下較第1代方案幾乎翻倍Renesas的第3代DDR5 MRDIMM晶片組解決方案由兩部分組成,包括第3代多工暫存器時脈驅動器(MRCD),以及多路復用資料緩衝區(MDB)。相較第2代DDR5 MRDIMM晶片解決方案,在同樣基於DDR5基礎架構下,頻寬提高25%,相對第1代解決方案幾乎翻倍,
2 個月前
Intel專文介紹MRDIMM記憶體模組為資料中心帶來的效益,可大幅提升效能之外能相容既有生態系為賣點
電腦產業有許多的標準設計是已存在數十年的規格,雖然隨著技術變革或概念的改變如今來看已顯過時,但這些規格難以被取代的原因仍在於產業鏈難以動搖,記憶體模組設計就是其中一項例子,但考慮到既有標準產生的瓶頸,產業也會設法在進行最小變動下以既有設計延伸具相容性的標準;繼JEDEC公布DDR5 MRDIMM模組後,Intel也特別為MRDIMM撰寫一篇專文,介紹MRDIMM模組能為資料中心帶來的效益。 MRDIMM模組是一項在當前產業主流RDIMM記憶體模組設計進行創新的標準,透過於記憶體配置多列記憶體搭配多工控制器(或稱為MUX)進行多通道資料傳輸,使一組MRDIMM的記憶體的顆粒進行多通道傳輸,進而提
1 年前

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