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產業消息 三星 hbm DDR5 記憶體外包 產能擴張
三星傳後端產線全力衝刺HBM，計畫將DDR5模組組裝外包
雖然AI使記憶體產業谷底翻身，然而目前產線難以滿足需求激增是掐住整個半導體與AI產業發展的原因，雖然主要記憶體廠商紛紛擴大投資提升產能，然而由於投資需要時間醞釀才能發酵仍舊緩不濟急，此外也還有其它因素導致難以擴大產線，例如腹地不足；根據韓國媒體The Elec報導，三星有意把DDR5記憶體模組產線完全外包，將自有模組產線全力衝刺更高利潤的HBM記憶體。三星擴大外包DDR5模組組裝據稱三星正積極要求半導體組裝與測試夥伴擴大產能，而非提升自生的產線，不過主要的原因是三星目前沒有充裕的腹地擴建模組生產產線，在空間有限的限制下，三星有意把自身持有的封裝後端產限用於生產更為高附加價值的HBM先進封裝，並
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1 個月前
產業消息 DDR5 MRDIMM AI資料中心 記憶體頻寬 瑞薩半導體
Renesas推出第3代DDR5 MRDIMM晶片組，提升至16,000MT/s效能
日本Renesas瑞薩半導體宣布推出第3代DDR5 MRDIMM晶片組解決方案，將DDR5 MRDIMM的性能一舉提升至16,000MT/s，為AI資料中心、雲端基礎設施與加速運算等高階運算帶來更高的記憶體頻寬。延續DDR5基礎架構進一步提升頻寬▲瑞薩第三代DDR5 MRDIMM晶片組在延續DDR5基礎架構下較第1代方案幾乎翻倍Renesas的第3代DDR5 MRDIMM晶片組解決方案由兩部分組成，包括第3代多工暫存器時脈驅動器(MRCD)，以及多路復用資料緩衝區(MDB)。相較第2代DDR5 MRDIMM晶片解決方案，在同樣基於DDR5基礎架構下，頻寬提高25%，相對第1代解決方案幾乎翻倍，
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2 個月前
產業消息 漲價 DDR5 庫存 芝奇 AMD EXPO ULL
芝奇澄清新型EXPO ULL記憶體比EXPO記憶體貴是因為標準EXPO還在賣庫存
AMD在Computex宣布強化版AMD EXPO記憶體規範EXPO ULL，當時強調價格不會比標準EXPO記憶體高太多；不過隨著芝奇G.Skill正式推出支援EXPO ULL規範的Trident Z5 NEOX DDR5，價格卻比起標準EXPO版本貴了不少；根據wccftech從芝奇取得的說法，價差是由於新生產產品與庫存產品的差異，並表示後續新生產的標準EXPO記憶體也同樣會面臨漲價。示警後續新生產的DDR5記憶體漲價難免▲芝奇表示EXPO ULL記憶體的價格看似高於EXPO記憶體，是由於通路的EXPO記憶體仍是漲價前的貨源芝奇的回應指出價差並非是由於AMD EXPO ULL造成，芝奇一直再
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3 個月前
遊戲天堂 記憶體 DDR5 Steam Machine 硬體規格 雙通道
玩家買到的Steam Machine可能會是單條DDR5或2條DDR5，但玩家無法決定
Valve在2026年6月下旬正式推出Steam Machine遊戲機，雖然開出令許多玩家傻眼、遠高於PlayStation 5 Pro的價格，但首波配額仍很快售罄；根據Gamers Nexus與Valve的訪談證實，受限當前記憶體市場現況，Steam Machine出貨時可能會是單條DDR5或2條DDR5，但消費者僅有收到的時候才會知道。無法穩定取得記憶體的折衷作法Steam Machine的硬體規格主要是以Steam平台硬體調查的結果進行規劃，故在記憶體選擇「堪用」的16GB配置，不過在主板規劃則採用2組DDR5 SODIMM插槽；由於受到當前記憶體為賣方市場導向，Steam無法統一採購的
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4 個月前
產業消息 Rambus DDR5 CUDIMM 時脈驅動器 記憶體模組晶片組
Rambus推出適用於CUDIMM、CSODIMM的DDR5 9600 Clint記憶體模組關鍵晶片組，從伺服器擴展到消費平台
Rambus宣布針對新一代PC桌上型與筆記型電腦對於代理式AI、電競及內容創作負載需求，將記憶體模組晶片方案自伺服器擴展到消費平台，推出適用於CUDIMM、SCODIMM的DDR5 9600 Clint記憶體模組晶片組，包含關鍵的第二代時脈驅動器CKD02、電源管理晶片PMIC5120與串型存在檢測集線器SPD Hub。為高時脈CUDIMM、CSODIMM記憶體模組關鍵晶片組▲Rambus進軍消費級記憶體模組關鍵晶片，提供CUDIMM、CSODIMM模組關鍵晶片組CUDIMM、CSODIMM記憶體模組為UDIMM及SODIMM記憶體模組的延伸規格，旨在透過記憶體獨立的時脈驅動器直接進行多通道記
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5 個月前
產業消息 Corsair DDR5 長鑫儲存 記憶體供應鏈 價格上漲
玩家發現Corsair的DDR5記憶體開始使用長鑫儲存的DRAM顆粒
受到三星、SK Hynix及美光三大DRAM供應商優先把產能供應給AI相關產業，當前消費級記憶體價格仍舊水漲船高，也造就中國長江儲存YMTC及長鑫儲存CXMT的新機會，現在市場上可看到部分價格相對低廉的記憶體與SSD(但也高於2025年9月一線品牌產品)就來自這兩大廠的NAND與Flash顆粒；現在進一步發現，一向只採用一線記憶體顆粒的Corsair開始在DDR5模組使用長鑫儲存的顆粒。選擇中國顆粒是不得不與現實妥協的折衷辦法CXMT DDR5 DRAM Die Appears in Corsair Memory pic.twitter.com/GRLeAUHtEN— Алексей (@wx
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5 個月前
快訊 DDR5 PCIe Gen 5 佰維儲存 Computex 2026 儲存產品
佰維儲存Biwin將在Computex展出一系列儲存產品，涵蓋高性能記憶體、Gen 5 SSD、可攜式SSD、microSD Express卡
佰維儲存Biwin宣布將在Computex 2026展出多項旗艦級儲存產品，涵蓋高性能DDR5記憶體、PCIe Gen 5 SSD、專業外接SSD以及針對內容創作與掌機的microSD Express卡。Biwin於Computex 2026期間將位於南港展覽館2館4樓的R0102展區。兼具大容量、高性能的Black Opal OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 8400MT/s 128GB▲Black Opal OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5 8400MT/s 128GB具備大容量、高效能，滿足頂尖遊戲到工作站等需求Bl
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5 個月前
DDR5 RDIMM 96GB facing right on black
產業消息 DDR5 人工智慧 能源效率 伺服器記憶體 高容量
美光開始供應256GB DDR5伺服器記憶體模組樣品，採1-gamma DRAM達9,200MT/s
美光Micron宣布已經開始提供主要伺服器生態系合作夥伴新一代256GB DDR5 RDIMM模組，美光256GB DDR5 RDIMM採用1-gamma DRAM，除了更大的容量，還具備達9,200MT/s的性能，因應如大型語言模型LLM、代理式AI、即時推論與高核心CPU工作負載對高容量；高頻寬及能源效率的需求。頻寬大幅提高、相較兩條128GB更省電▲美光9,200MTs的256GB DDR5 RDIMM使用美光1-gamma DRAM，容量、性能及能源效率皆優於前一代產品具有最高9,200MT/s時脈的美光伺服器級256GB DDR5 RDIMM不僅高於現行主流6,400MT/s時脈，採
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5 個月前
快訊 DDR5 JEDEC 十銓科技 8,000MT/s 低電壓
十銓推出僅1.1V電壓的JEDEC規範8,000MT/s DDR5記憶體
十銓科技宣布兩款8,000MT/s的高時脈DDR5記憶體ELITE PLUS DDR5以及ELITE DDR5，最大的特色是不僅符合JEDEC標準規範，同時僅使用1.1V的低電壓，可有效降低功耗與發熱。TEAMGROUP ELITE PLUS DDR5與TEAMGROUP ELITE DDR5初期將先提供16GBx2規格，預計2026年6月先行在北美Amazon推出低電壓、JEDEC規格的8,000MT/s記憶體▲TEAMGROUP ELITE PLUS DDR5為帶有散熱片坂本▲TEAMGROUP ELITE DDR5為無散熱片版本▲在Intel Z890平台環境的實證▲在AMD X870E
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5 個月前
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美光單日飆漲15%、蘋果跌6%：「記憶體末日」已經進入聯準會的通膨報告
關鍵評論 - TNL國際編譯
博帝科技於Embedded World 2026展示ACPI工業級PCIe Gen5 SSD與DDR5 RDIMM解決方案
關鍵評論 - 美通社
HBM 吃掉三倍產能！美光：傳統 DRAM 供應將持續吃緊
INSIDE - INSIDE 硬塞的網路趨勢觀察, Sisley

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